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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
比較する
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
15.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
28
読み出し速度、GB/s
15.4
18.1
書き込み速度、GB/秒
12.5
14.8
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
3564
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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