RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
49
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3035
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link