RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
74
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2601
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link