RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2601
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link