RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Porównaj
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3257
3626
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Jinyu 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link