RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
76
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
76
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1260
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link