RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3434
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link