RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3434

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
メモリRAM