RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2764
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link