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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
14.7
写入速度,GB/s
7.3
10.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2764
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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