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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
17.1
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3409
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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