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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
66
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
66
读取速度,GB/s
12.7
16.1
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1810
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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