RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
42
Autour de -147% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
17
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3731
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link