RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3313
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link