RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3313
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link