RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3310
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link