RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3310
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link