RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3284
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link