RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
42
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3284
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link