RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2086
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link