RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
94
Autour de 55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
94
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1390
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link