RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3047
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link