RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3055
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link