RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3055
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link