RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2866
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link