RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
42
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3027
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link