RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3219
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link