RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2761
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link