Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 45

En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.3 12

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.2 7.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 12800

En 1.83 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1939 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns