RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3211
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link