RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3327
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link