RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 42
    周辺 -56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3327

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
メモリRAM