RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
42
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3431
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link