RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3211
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link