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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.1
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2090
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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