RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
54
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
9.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2090
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link