RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
54
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2090
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link