RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
54
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2090
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link