RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2913
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link