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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
11.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
51
周辺 -55% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
15.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
33
読み出し速度、GB/s
15.6
16.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
11.4
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2913
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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