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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

総合得点
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 54
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 2090

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