RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3211
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link