RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3211
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link