RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 44
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 44
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.3 left arrow 12.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 7.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2016 left arrow 1977

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
модули RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
модули RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
модули RAM