RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3211
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link