RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3660
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link