RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3660
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link