RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
64
Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
64
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2197
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link