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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
64
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
64
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2197
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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