RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
64
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
64
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2197
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link