RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2979
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link