RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
85
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
85
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1772
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link